N-MOSFET IRF540N - THT - 5 шт.
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 530499103
623 ₴
Показати оптові ціни
Опис продукту: N-MOSFET IRF540N - THT
Уніполярний N-MOSFET-транзистор з напругою VDDS 100 В та максимальним струмом Id 22 А. Виготовлений у корпусі TO-220.
Технічні характеристики транзистора IRF540N
- Максимальний струм стоку Id: 22 А
- Максимальна напруга VDSS: 100 В
- Опір каналу Rds: 0,055 Ом
- Потужність: 85 Вт
- Корпус: TO-220
Деталі в документації.
Товари продаються упаковками по 5 штук.
N-MOSFET-транзистор IRF540N.
N-MOSFET транзистор IRF540N - практичне застосування
N-MOSFET-транзистор IRF540N можна використовувати скрізь, де потрібно контролювати високі струми. Приклади практичного застосування цього транзистора включають імпульсні перетворювачі потужності для підвищення та зниження постійної напруги, інвертори напруги та аудіопідсилювачі. Цей транзистор також можна використовувати для керування котушками в контакторах та релейних схемах.
Як правильно підключити транзистор IRF540N?
Для належної роботи транзистора IRF540N його також необхідно правильно підключити. Витік транзистора з'єднаний із землею або негативною лінією живлення, а стік - з позитивною лінією живлення через резистор або інше навантаження, наприклад, пристрій, керований транзистором. Затвор транзистора з'єднаний з виходом тригера, таким як контакт мікроконтролера, через резистор. N-MOSFET-транзистор IRF540N має вбудований діод, який захищає транзистор під час перемикання індуктивних навантажень, таких як двигуни та трансформатори.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Primera |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вага паковання | 0,002 кг |
| Висота паковання | 0,5 см |
| глибина паковання | 9 см |
| Ширина паковання | 5 см |
- Ціна: 623 ₴